Opis izdelka】【

Silicon Heterojunction Technology (HJT) temelji na emiterju in hrbtnem površinskem polju (BSF), ki nastajajo z nizko temperaturno rastjo ultra tankih plasti amorfnega silicija (a-Si:H) na obeh straneh zelo dobro očiščenih monoklistalnih silicija, Manja od 160 μm u debelosti, pri kateri se fotogenerišu elektroni i luknje.

HJT solar cell structure 400 Profile2

Proces tok】【】.

Process flow A black

Ključne funkcije】【】

Visoka Eff in visoka Voc

Nizkotemperaturni koeficient 5-8% izhodna moč

Bifacialne strukture

【Ključne funkcije】

Visoka učinkovitost in visoka Voc

Nizkotemperaturni koeficient 5-8% izhodna moč

Bifacialne strukture

Tehnični podatki】【Tehnične podatke

TEHNIČNI PODATKI IN ZASNOVA		TEMPERATURNI KOEFICIENTI IN SPAJKANJE
Dimenzija	166mm*166mm±0.25	TkUoc (%/K)	-0.192
Debelina	150+20 μm/-10 μm	TkIsc (%/K)	+0.035
Spredaj	9×0.1mm Prednja elektroda tipa varjenja	TkPMAX (%/K)	-0.236
Hrbet	9×0.1mm Varilna pega tip hrbtne elektrode	Najmanjša moč olupka	>1,4N/mm

ELEKTRIČNI PARAMETRI PRI STC
Ne.	Učinkovitost (%)	Pmpp (W)	Uoc (V)	Isc (A)	Umpp (V)	Impp (A)	FF (%)
1	24.40	6.69	0.746	10.758	0.644	10.386	83.35
2	24.30	6.66	0.746	10.754	0.644	10.352	83.10
3	24.20	6.63	0.745	10.750	0.643	10.318	82.84
4	24.10	6.61	0.745	10.745	0.643	10.282	82.56
5	24.00	6.58	0.744	10.740	0.642	10.245	82.27
6	23.90	6.55	0.744	10.728	0.642	10.210	82.06
7	23.80	6.52	0.744	10.716	0.641	10.175	81.84
8	23.70	6.50	0.744	10.683	0.642	10.124	81.76
9	23.60	6.47	0.744	10.649	0.642	10.072	81.67
10	23.50	6.44	0.743	10.628	0.640	10.072	81.64
11	23.40	6.41	0.741	10.607	0.637	10.072	81.61
12	23.30	6.39	0.741	10.602	0.635	10.058	81.35
13	23.20	6.36	0.740	10.596	0.633	10.043	81.09
14	23.10	6.34	0.741	10.563	0.635	9.979	80.88
15	23.00	6.31	0.742	10.530	0.636	9.914	80.67
16	22.90	6.28	0.742	10.504	0.635	9.890	80.57
17	22.80	6.25	0.742	10.477	0.634	9.865	80.46
18	22.70	6.23	0.741	10.488	0.632	9.850	80.18
19	22.60	6.20	0.739	10.499	0.630	9.834	79.89
20	22.50	6.17	0.738	10.496	0.629	9.809	79.72
21	22.40	6.14	0.736	10.493	0.628	9.784	79.54