Smerna strditev mono kot sončni waferje eden od obetavnih alternativnih materialov za rešeto v primerjavi z monoklistalnim silicijevim vosekom in multiklistalnim silikonom zaradi relativno višje učinkovitosti pretvorbe in nižjih proizvodnih stroškov. Vendar je še vedno velik prostor za izboljšanje kakovosti kristala in zmanjšanje proizvodnih stroškov, ki bi lahko potisnili v fotonapetostno industrijo praktično.
1 Lastnosti materiala
lastnost | Specifikacija | Metoda inšpekcijskega pregleda |
Metoda rasti | smerna strditev | XRD |
Kristalnost | Monokrystalline | Preferencialne tehnike Etch（ASTM F47-88） |
Vrsta prevodnosti | Tip P | Napson EC-80TPN P/N |
Dopant | Boron-Galij | - |
Koncentracija kisika[Oi] | ≦1E+17 at/cm3 | FTIR (ASTM F121-83) |
Koncentracija ogljika[Cs] | ≦1E+18 at/cm3 | FTIR (ASTM F123-91) |
2 Električne lastnosti
lastnost | Specifikacija | Metoda inšpekcijskega pregleda |
Odpornost | 0,5-2 Ωcm (Po anneal) | Sistem za pregled voščenk |
MCLT (doživljenjsko življenje nosilca manjšin) | ≧10 μs | Sinton QSSPC |
3 geometrija
lastnost | Specifikacija | Metoda inšpekcijskega pregleda |
geometrija | Kvadrat ali pravokotnik | Sistem za pregled voščenk |
Oblika roba ostrine | vrstica | Sistem za pregled voščenk |
Velikost voska (Stranska dolžina*stranska dolžina) | 156mm*156mm 157mm*186mm 166mm*166mm | Sistem za pregled voščenk |
Kot med sosednjimi stranmi | 90±3° | Sistem za pregled voščenk |
Priljubljena oznake: p tip smerno strditev mono kot sončni wafer vključno 166mm*166mm, Kitajska, dobavitelji, proizvajalci, tovarna, izdelana na Kitajskem
